Что такое флэш-память в телефоне xiaomi redmi

Обновлено: 06.06.2023

Флэш-память можно использовать для хранения данных, которые вы хотите сохранить при включении питания PIC32.

Программная флэш-память разделена на 128 страниц по 4 КБ каждая. Каждая страница разделена на восемь строк, каждая из которых состоит из 128 четырехбайтовых слов.

Flash можно стирать только постранично, установив все биты в единицы. Запись может только преобразовывать единицы в нули, но не нули в единицы. Запись может выполняться только в одно четырехбайтовое слово или сразу во всю строку.

Flash имеет ограниченный срок службы, поэтому следует свести к минимуму количество операций записи и стирания.

Фонд

2.2.2 Пример флэш-памяти USB

Флэш-память USB — это просто устройство хранения данных, содержащее энергонезависимую флэш-память и встроенный интерфейс USB. Что касается промежуточного программного обеспечения, некоторые из ключевых особенностей флэш-памяти USB включают в себя:

Емкость. Размер флэш-памяти USB.

Поддержка операционной системы (драйвера устройства). Какие дистрибутивы операционных систем включают драйверы устройств для флэш-памяти USB. Если операционной системы встроенной системы нет в этом списке, необходимо будет создать/перенести и интегрировать драйвер устройства.

Отформатировано. Поставляется ли флэш-память USB предварительно отформатированной, например, для поддержки определенной файловой системы. При необходимости флэш-память USB может потребоваться стереть и перепрограммировать для поддержки определенного промежуточного программного обеспечения.

Размер сектора. Наименьший блок Flash, который можно стереть и/или запрограммировать. Читатель также должен отметить, есть ли какие-либо ограничения при чтении Flash.

Флэш-память USB также может называться другими именами в этой области, например, флэш-память USB ключи, флэш-память USB диски, флэш-память USB Флешки и флэш-память USB флеш-накопители, и это лишь некоторые из них. Если это флэш-память с возможностью горячей замены в порт USB, то она подпадает под эту категорию оборудования флэш-памяти USB.

Как показано на рис. 2.7a, флэш-память USB представляет собой небольшую печатную плату (печатную плату), которая заключена в прочный корпус и получает питание через подключение к USB-порту встроенной системы. Стандартный интерфейс USB, который соответствует стандартной спецификации USB, такой как USB 1.1 или USB 2.0, простирается от этого небольшого шасси, что позволяет подключать флешку к порту USB-накопителя на плате, как показано на рис. 2.7b. Это устройство обычно меньше по размеру, чем другие портативные носители данных, и его можно заменять в горячем режиме в USB-порт платы, который имеет поддержку драйвера устройства для определенного типа флэш-памяти USB.

< бр />

Рисунок 2.7а. Флэш-карта памяти BabyUSB USB 8

< бр />

Рисунок 2.7б. Карта флэш-памяти USB и встроенная плата, пример 9

Технические описания флэш-памяти USB из реального мира, показанные на рисунках 2.8a и 2.8b, содержат некоторую дополнительную информацию о характеристиках флэш-памяти, которую полезно знать программистам в отношении поддержки типов флэш-памяти (см. выделенные фрагменты технических данных).

< бр />

Рисунок 2.8а. Пример 10 технического описания ручки флэш-памяти USB PSI

< бр />

Рисунок 2.8б. Техническое описание флэш-памяти Corsair, пример 11

Проект сверхкрупномасштабной интеграции

III.B.5 Флэш-память

Флэш-память представляет собой специально организованные EEPROM, занимающие меньшую площадь, чем EEPROM или DRAM, расположенные в других структурах. Следовательно, на данной площади чипа можно недорого производить флэш-память с большей емкостью памяти, чем DRAM. Кроме того, одновременно могут быть стерты от сотен до десятков килобайт данных, в отличие от других типов EEPROM. Но в отличие от других типов EEPROM, адреса которых могут быть выборочно перезаписаны, во флэш-памяти все адреса памяти в одном блоке стираются, а затем каждый адрес памяти в блоке может быть записан отдельно. Это неудобно, потому что даже если мы хотим перезаписать только один адрес, нам придется перезаписывать весь блок.

В настоящее время флэш-память структурирована как минимум четырьмя различными способами с различными функциями. Это тип NOR, тип NAND, тип AND и тип DINOR. Первые два типа получили широкое распространение. Флэш-память типа NOR показана на фиг.15. Если одно слово памяти состоит из 8 бит, у нас есть битовые линии, D₁, D₂, … , Д₈. Все эти линии подключены к стокам MOSFET с плавающими затворами.A₁, A₂, … , A_K — выходы дешифратора адресов памяти, которые подключены к затворам МОП-транзисторов с плавающими затворами и только один из которых имеет высокое напряжение, когда дешифратор активен. Все истоки MOSFET с плавающими затворами подключены к S, что означает исток. Подача соответствующего напряжения на S, D_i и A_j выполняется запись, чтение или стирание. Белые кружки обозначают контактные окна между алюминиевыми трубопроводами и стоками. Флэш-память типа NAND показана на фиг.16. Время чтения во флэш-памяти типа NOR составляет около сотен наносекунд или меньше, что сравнимо с ПЗУ, но быстрее, чем у NAND-типа, хотя ее площадь больше (из-за большего количества контактных окон, которые занимают большие площади). Время стирания и записи в обоих типах составляет несколько микросекунд, что намного медленнее, чем у RAM, но намного быстрее, чем у жестких дисков, время записи которых составляет десятки миллисекунд.

РИСУНОК 15. Флэш-память типа NOR.

РИСУНОК 16. Флэш-память типа NAND.

У флэш-памяти есть один серьезный недостаток. Если запись повторяется много раз, флэш-память постепенно требует больше времени для записи и в конечном итоге перестает работать из-за усталости. В настоящее время мы можем повторить запись почти миллион раз, и это на три порядка меньше, чем на жестких дисках.

Флэш-память дешевле с большей емкостью памяти, чем DRAM, и при этом быстрее, хотя и дороже в пересчете на бит, чем жесткие диски. Флэш-память невосприимчива к вибрации, пыли и механическим ударам. Также флеш-память работает с гораздо меньшим энергопотреблением, и соответственно, если флеш-память устанавливается в ноутбук вместо жесткого диска, то батарейки служат гораздо дольше. Жесткий диск потребляет сначала несколько ампер, а затем потребляет десятки миллиампер на вращение. Напротив, флэш-память в режиме пониженного энергопотребления потребляет всего несколько микроампер. Флэш-память имеет множество уникальных применений. Флэш-память используется в обновляемом BIOS (Basic Input Output System), который является аппаратной частью операционной системы некоторых персональных компьютеров, а также в модемах. Флэш-память широко используется в качестве карт памяти размером с кредитную карту, которые называются PCMCIA (международная ассоциация карт памяти для персональных компьютеров), для портативных компьютеров в качестве удобных расширений памяти. В цифровых камерах фотографические изображения хранятся во флэш-памяти. Флэш-память также используется в сотовых телефонах, где идентификационные данные владельцев и программы хранятся и обновляются посредством беспроводной передачи. Флэш-память используется и в карманных диктофонах, записывающих голос без микрокассет, т. е. без механических приводов. Такие карманные записывающие устройства намного меньше, чем обычные карманные записывающие устройства, а батареи служат намного дольше. Флэш-память также используется в ПЛИС, как будет объяснено ниже.

Всесторонний обзор проблем с твердотельными накопителями

Юнгбин Джин , Бен Ли , Достижения в области компьютеров , 2019 г.

Аннотация

Твердотельные накопители (SSD) на основе флэш-памяти стали повсеместными в современных вычислительных системах, таких как высокопроизводительные серверы, рабочие станции, настольные компьютеры и ноутбуки, благодаря их производительности и плотности. Архитектура твердотельных накопителей эволюционировала, чтобы использовать преимущества флэш-памяти и в то же время скрыть их недостатки. Методы параллелизма SSD, такие как чередование каналов, конвейеризация флэш-чипов, чередование кристаллов и совместное использование плоскостей, используют доступный параллелизм флэш-памяти, а операции уровня флэш-трансляции (FTL) минимизируют накладные расходы флэш-памяти на задержку. В этой главе представлен всесторонний обзор тем SSD, которые охватывают как физические свойства ячейки флэш-памяти, так и архитектуру SSD. Темы, связанные с FTL, обсуждаются в контексте взаимосвязанных операций системного уровня, которые включают сопоставление адресов, сборку мусора, выравнивание износа, управление поврежденными блоками, методы параллелизма SSD и стратегии выделения страниц. В этой главе также рассматриваются последние исследования твердотельных накопителей.

Модели памяти для встроенной многоядерной архитектуры

Вспышка

Флэш-память – это недорогая энергонезависимая компьютерная микросхема хранения данных высокой плотности, которую можно электрически стирать и перепрограммировать. Флэш-память может быть NOR-Flash или NAND-Flash. NOR-Flash позволяет независимо записывать или читать одно слово. Его можно использовать для хранения загрузочного кода. NAND-Flash плотнее и дешевле, чем NOR-Flash. Он доступен для блоков и не может использоваться для хранения кода. В основном он используется в картах памяти, USB-накопителях и твердотельных накопителях.

Безопасность систем

Идо Дубравски, Eleventh Hour Security+, 2010

КАРТЫ ФЛЭШ-ПАМЯТИ

Карты флэш-памяти и флешки – популярные носители для хранения и передачи различных объемов данных.

Карты памяти обычно имеют размер от 8 до 512 МБ, но новые карты способны хранить до 8 ГБ данных.

Обычно используется для хранения фотографий в цифровых камерах, а также для хранения и передачи программ и данных между карманными компьютерами (карманными ПК и устройствами Palm OS).

К картам флэш-памяти относятся: ▪

Карта памяти Secure Digital (SD)

Карта памяти CompactFlash (CF)

Карта памяти Memory Stick (MS)

Мультимедийная карта памяти (MMC)

Карта xD-Picture (xD)

Карта памяти SmartMedia (SM)

Сборник цепей, том I

Ричард Маркелл, редактор Analog Circuit Design, 2013 г.

LT1109 генерирует VPP для флэш-памяти

Стив Питкевич

Микросхемы флэш-памяти, такие как 2-мегабитное устройство Intel 28F020, требуют питания программы VPP 12 В при 30 мА. Преобразователь постоянного тока может использоваться для получения 12 вольт от 5-вольтового питания логики. Преобразователь должен быть физически небольшим, доступным в корпусе для поверхностного монтажа и иметь логическое управление отключением. Кроме того, преобразователь должен иметь тщательно контролируемое время нарастания и нулевое перерегулирование. Выходы VPP за пределы 14 В в течение 20 нс и более разрушат устройство, основанное на процессе ETOX.

Схема на рис. 33.18 хорошо подходит для обеспечения питания VPP для одной или нескольких микросхем флэш-памяти. Все сопутствующие компоненты, включая индуктор, представляют собой устройства для поверхностного монтажа. Вход SHUTDOWN ¯ выключает преобразователь, уменьшая ток покоя до 300 мкА при подтягивании до логического 0. VPP повышается контролируемым образом, достигая 12 В ± 5% менее чем за 4 мс. Выходное напряжение достигает V_CC за вычетом падения напряжения на диоде, когда преобразователь находится в режиме отключения. Это приемлемое условие для флэш-памяти Intel, которое не наносит вреда памяти.

Рисунок 33.18. Генератор VPP с флэш-памятью для поверхностного монтажа

Программирование ввода-вывода и хранения

Флэш-память

Флэш-память – это долговечная и энергонезависимая микросхема хранения данных, которая широко используется во встроенных системах. Он может сохранять сохраненные данные и информацию, даже когда питание выключено. Его можно электрически стереть и перепрограммировать. Флэш-память была разработана из EEPROM (электронно стираемая программируемая постоянная память). Его необходимо стереть, прежде чем его можно будет перезаписать новыми данными. Стирание основано на блоке размером от 256 КБ до 20 МБ.

Существует два типа флэш-памяти, которые доминируют в технологии и на рынке: флэш-память NOR и флэш-память NAND. Флэш-память NOR обеспечивает быстрый произвольный доступ к любому месту в массиве памяти, 100% известных исправных битов на весь срок службы детали и выполнение кода непосредственно из флэш-памяти NOR. Обычно он используется для хранения и выполнения загрузочного кода в качестве замены более старой EPROM и в качестве альтернативы определенным типам приложений ROM во встроенных системах. Флэш-память NAND требует относительно длительного начального доступа для чтения к массиву памяти по сравнению с флэш-памятью NOR. Он имеет 98% исправных битов при поставке с дополнительным отказом битов в течение срока службы детали (настоятельно рекомендуется ECC). NAND стоит меньше за бит, чем NOR. Обычно он используется для хранения данных, таких как карты памяти, USB-накопители, твердотельные накопители и аналогичные продукты, для общего хранения и передачи данных. Примеры применения обоих типов флэш-памяти включают персональные компьютеры и всевозможные встроенные системы, такие как цифровые аудиоплееры, цифровые камеры, мобильные телефоны, видеоигры, научные приборы, промышленную робототехнику, медицинскую электронику и т. д.

Соединения отдельных ячеек памяти во флэш-памяти NOR и NAND различаются. Более того, интерфейс для чтения и записи памяти отличается. NOR разрешает произвольный доступ для чтения, тогда как NAND разрешает только доступ к странице. В качестве аналогии, флэш-память NOR похожа на ОЗУ, которая имеет независимую шину адреса и шину данных, а флэш-память NAND больше похожа на жесткий диск, где шина адреса и шина данных совместно используют шину ввода-вывода.

Перспективные приложения LDPC

Викрам Аркалгуд Чандрасетти, Сайед Махфузул Азиз, ресурсоэффективные декодеры LDPC, 2018 г.

8.3 Устройства флэш-памяти

Устройства флэш-памяти хранят большие объемы данных на небольшой площади, используя стекированные ячейки памяти. Плотность таких ячеек существенно увеличивается, чтобы удовлетворить потребность в хранении большего количества данных на меньшей площади. В стремлении достичь этой цели технология флэш-памяти ограничивается многоуровневыми ячейками (MLC), где одна ячейка памяти предназначена для хранения большего количества битов данных с использованием нескольких логических уровней [24]. Традиционно одна ячейка памяти могла содержать только один ненулевой уровень заряда для хранения 1 бита данных. По мере того, как технология памяти движется к MLC и более сложным формам в трехмерных структурах [25], возникает еще более сложная задача противодействия ошибкам, возникающим при хранении и извлечении данных из таких устройств.Увеличение количества уровней (означает уменьшение расстояния между уровнями) в ячейках может привести к изменениям в поведении ячеек из-за интерференции между ячейками. Это также снижает отношение сигнал/шум при чтении данных из стека памяти [26]. Другие факторы, такие как случайный телеграфный шум (RTN), шум удержания из-за утечки электронов из плавающего затвора и износ ячеек, существенно влияют на надежность хранимых данных в памяти. Таким образом, использование эффективного метода исправления ошибок имеет решающее значение для защиты и восстановления важных данных с устройств хранения. Коды LDPC были в значительной степени многообещающими в решении проблем целостности данных, с которыми сталкиваются устройства памяти, использующие ультра инновационные решения для хранения данных [26]. Коды LDPC уже используются в качестве надежного метода исправления ошибок в ряде промышленных устройств хранения данных. Например, коды LDPC используются для исправления ошибок носителя в картах SSD [27] SanDisk X400 и Seagate Nytro.

Флэш-накопитель обычно состоит из контроллера памяти и стека флэш-памяти в одном корпусе. Контроллер является общим интерфейсом между хостом и флэш-памятью. Он модерирует и поддерживает различные протоколы (USB, PCI, UFS и т. д.), участвующие в обмене данными хоста с устройством. Блок-схема пакета простого запоминающего устройства показана на рис. 8.1.

Рисунок 8.1. Внутренняя блок-схема устройства флэш-памяти.

Для записи данных во флэш-память на запоминающем устройстве данные хоста сначала буферизуются через интерфейс хоста. ЦП управляет операцией кодирования LDPC для данных хоста, считываемых из буферов памяти. Затем закодированные данные буферизируются перед их сохранением во флэш-памяти через интерфейс флэш-памяти. Аналогичный процесс выполняется для чтения данных из флэш-памяти. Данные, считанные из флэш-памяти, декодируются с помощью декодера LDPC. Ошибки, вносимые неисправными ячейками флэш-памяти, исправляются декодером LDPC с использованием многоуровневой схемы исправления ошибок [28]. Затем исправленные данные отправляются на хост через буферы памяти и интерфейс хоста. Для декодирования с мягким решением мягкую информацию получают, выполняя многократное считывание с различными напряжениями словарной строки. Схема декодирования с жестким решением сначала используется для исправления ошибок. В случае неудачной коррекции для исправления ошибок поэтапно предпринимается попытка декодирования с мягким решением [28] с более высокими уровнями дискретизации и схемы квантования.

Обзор технологии энергонезависимой памяти: рынки, технологии и тенденции

1.3.3 Флэш-технология NAND

Флэш-память NAND родилась в середине 1980-х 14 , сразу после презентации ячейки NOR, но потребовалось больше времени, чтобы стать основной памятью и найти правильное применение, которым сегодня являются полупроводниковые запоминающие устройства. Флэш-память NAND имеет в основном ту же структуру ячеек памяти, что и NOR, но имеет совершенно другую организацию массива (рис. 1.6) и использует другой механизм программирования.

< бр />

1.6. Схематичное сечение ячейки флэш-памяти NAND вдоль битовой линии (в направлении y) и линии слов (в направлении x).

Массив памяти организован в виде строк NAND; то есть ряд ячеек, обычно 16 или 32, соединены последовательно между землей и контактом битовой линии. Эта организация увеличивает плотность по сравнению с NOR, которая вместо этого требует линии заземления и битовой линии, контактирующей с каждыми двумя ячейками, но резко влияет на скорость. Фактически, каждая ячейка должна считываться через некоторое количество других ячеек (15 или 31), что сильно снижает ток чтения, что приводит к гораздо большему времени доступа (микросекунды по сравнению с десятками наносекунд NOR Flash) и практически предотвращает использование эта технология для запоминающих устройств с произвольным доступом, что ограничивает ее только последовательной энергонезависимой памятью.

Механизм программирования, используемый флэш-памятью NAND, представляет собой туннелирование Фаулера-Нордхейма. Время программирования с использованием туннелирования ФН само по себе больше, чем с использованием канального горячего электрона (~300 мкс для ФН и ~1 мкс для CHE), так как оно должно работать в режиме электрического поля через туннельный оксид, что гарантирует необходимые требования надежности. С другой стороны, будучи механизмом программирования, требующим очень низкого тока, туннелирование FN обеспечивает очень высокий параллелизм на кристалле для программирования и, как следствие, очень высокую пропускную способность записи, что является ключевой особенностью для запоминающих устройств. Очень высокая плотность и высокая производительность программирования делают NAND доминирующей технологией для хранения данных.

С точки зрения архитектуры процесса флэш-память NAND отличается от флэш-памяти NOR. Архитектура ячейки обычная: та же концепция плавающих затворов, та же ячейка с одним транзистором и многослойным затвором. Однако разница заключается в архитектуре КМОП-транзистора.В NOR логика предназначена для обеспечения высокой производительности, чтобы ускорить алгоритм программирования/стирания и получить самое быстрое время произвольного доступа. Однако транзисторы NAND максимально совместимы со структурой ячейки, чтобы свести к минимуму количество масок, а затем снизить стоимость процесса.

Смартфон Xiaomi Mi A1 Android One был моим основным и единственным телефоном с октября прошлого года, и я был очень доволен им, ежемесячными обновлениями прошивки, и смартфоном, работающим так, как я ожидал, за исключением того, что я обнаружил, что камера не хватает некоторых условий, но ничего критичного.

Однако 7 числа этого месяца телефон работал очень медленно, особенно при загрузке приложения, так как одно приложение работало довольно плавно большую часть времени. Я имею в виду приложения для обмена сообщениями, которые загружаются от 20 до 30 секунд, YouTube, может быть, одну минуту, и игру CSR2 Racing, которая загружается около 5 минут…

Моим первым предположением было то, что какое-то фоновое приложение потребляет много ресурсов или очень часто обращается к хранилищу, что приводит к замедлению работы других приложений, но в настройках Android Battery такие приложения не сообщались, и время автономной работы было нормальным. Я все еще пытался удалить некоторые приложения, но безрезультатно. Вывод Logcat, похоже, не показывает никаких ошибок ввода-вывода, но есть много тайм-аутов… Поэтому я переключился в безопасный режим, запуская только приложения по умолчанию, но телефон по-прежнему работал очень медленно.

Следующим шагом был вход в режим восстановления и сброс до заводских настроек. Сначала телефон чувствовал себя нормально, поэтому я восстановил резервную копию, и все прошло хорошо. Телефон работал нормально, может быть, 30 минут, прежде чем медлительность вернулась. Таким образом, это может быть аппаратная проблема с флэш-памятью, и я обнаружил, что у нескольких людей была точно такая же проблема с их Xiaomi Mi A1.

Нажмите, чтобы увеличить

Некоторые участники форумов XDA запустили приложение AndroBench, чтобы продемонстрировать производительность на своих рабочих телефонах. Поэтому я решил установить и запустить приложение для тестирования хранилища, но это было непросто, поскольку мой телефон обычно перезагружался во время теста произвольной записи. Я предпринял 5 или 6 попыток, но результаты есть. Давайте посмотрим, в частности, на случайную запись. Обычный «телефон XDA» 2 получает 13 772,28 IOPS, в то время как обычный «телефон XDA» 1 достигает только 2 689,11 IOPS. У них была другая версия Android (8.1 «утечка» против 8.1), но это все еще большая разница. Мои результаты: 46,34 IOPS. Таким образом, телефон в основном мертв или, по крайней мере, умирает, и его неудобно использовать. К сожалению, человек, сообщивший о проблеме на форумах XDA, не предоставил своих результатов.

Я все же предпринял последнюю попытку спасти телефон, посетив местную компьютерную выставку и купив карту micro SD Sandisk Ultra Class A1 емкостью 32 ГБ. Это выглядит законным с упаковкой и 10-летней гарантией, но почему-то я заплатил всего 210 бат (6,5 долларов США), в то время как та же карта продается примерно за 9 долларов на Amazon. Во всяком случае, я не стал разбираться в «подделке» карты, а вместо этого установил ее в свой телефон и настроил как внутреннюю память, а не переносную, чтобы на нее тоже можно было устанавливать приложения. На этом этапе система переместила около 4 ГБ данных, но позже я просмотрел список приложений и вручную переместил некоторые из них на «SD-карту SanDisk».

Нажмите, чтобы увеличить

Однако не все приложения предлагают эту возможность, например, кнопка "Изменить" была недоступна в браузерах Chrome и Firefox. В итоге у меня осталось около 5,5 ГБ на SD-карте и еще 22,25 ГБ на флэш-памяти eMMC.

Значит, это помогло решить мою проблему? Что ж, стало значительно лучше, но мне все еще приходится ждать много секунд, пока приложения загрузятся, и время от времени приложение зависает, и снова мне приходится ждать, прежде чем я смогу использовать приложение. Но последнее случается нечасто, особенно если я некоторое время продолжаю использовать имя приложения. И, конечно же, я часто получаю окно, в котором приложение не отвечает. Я не уверен, что стоит ремонтировать его в магазине, тем более, что в прошлом месяце я разбил стекло дисплея, и вместо этого я, вероятно, буду искать новый телефон…

Жан-Люк основал CNX Software в 2010 году, работая неполный рабочий день, прежде чем уйти с должности менеджера по разработке программного обеспечения и начать писать ежедневные новости и обзоры на полную ставку в конце 2011 года.

Следующий список лучших мобильных телефонов Xiaomi со вспышкой на передней камере включает 67 продуктов.Вы можете проверить некоторые лучшие мобильные телефоны, такие как Xiaomi Redmi Note 11T 5G (6 ГБ ОЗУ + 128 ГБ), Xiaomi Mi 11X, Xiaomi Redmi Note 11T 5G, Xiaomi Mi 11 Lite NE 5G и Xiaomi Redmi Note 10T 5G здесь. Лучшая цена каждой модели указана в описании. Вы можете дополнительно изучить продукт, щелкнув по нему и прочитать его полные характеристики, а также лучшие цены на этот продукт в Индии. Давайте посмотрим:

1. Xiaomi Redmi Note 11T 5G (6 ГБ ОЗУ + 128 ГБ)

Xiaomi выпустила Xiaomi Redmi Note 11T 5G (6 ГБ ОЗУ + 128 ГБ) 30 ноября 2021 г. Цена этого телефона рупий. 16999. Процессор в этом мобильном — MediaTek 810 5G. Этот мобильный телефон имеет 6 ГБ оперативной памяти с 128 ГБ встроенной памяти. Этот мобильный телефон поддерживает 4G и 3G. Xiaomi Redmi Note 11T 5G (6 ГБ ОЗУ + 128 ГБ) работает под управлением Android 11. Эта модель имеет двойную заднюю камеру 50 Мп + 8 Мп со светодиодной вспышкой и фронтальную камеру 16 Мп с экраном.

✓ Отличительными чертами этого мобильного телефона являются частота процессора 2,4 ГГц и размер дисплея 6,6 дюйма, что является отличным показателем в этом ценовом диапазоне. Эта модель также доступна в вариантах 6 ГБ + 64 ГБ и 8 ГБ + 128 ГБ.

2. Сяоми Ми 11X

23 апреля 2021 г. компания Xiaomi выпустила Xiaomi Mi 11X. Эта модель поставляется по цене рупий. 23994. В этой модели используется процессор Qualcomm 870, 6 ГБ ОЗУ и 128 ГБ встроенной памяти. Этот телефон поставляется с возможностью подключения 4G и 3G. Этот телефон работает под управлением Android 11. Он оснащен тройной задней камерой 48 Мп + 8 Мп + 5 Мп со светодиодной вспышкой и фронтальной камерой 20 Мп с экраном.

✓ Изюминкой этой модели является частота процессора 3,2 ГГц, которая является лучшей из доступных в этом ценовом диапазоне. Наряду с этим, эта модель также имеет размер дисплея 6,67 дюйма. Этот телефон также доступен в вариантах 8 ГБ + 128 ГБ.

3. Xiaomi Redmi Note 11T 5G

30 ноября 2021 г. компания Xiaomi выпустила Xiaomi Redmi Note 11T 5G. Этот телефон продается по цене рупий. 16499. Процессор в нем MediaTek 810 5G. Xiaomi Redmi Note 11T 5G имеет 6 ГБ оперативной памяти и 64 ГБ встроенной памяти. Эта модель поставляется с возможностью подключения 4G и 3G. Эта модель работает под управлением Android 11. Этот телефон оснащен двойной задней камерой 50 Мп + 8 Мп со светодиодной вспышкой и фронтальной камерой 16 Мп с экраном.

✓ Отличительными чертами этой модели являются частота процессора 2,4 ГГц и размер дисплея 6,6 дюйма, что является отличным показателем в этом ценовом диапазоне. Этот телефон также доступен в вариантах 6 ГБ + 128 ГБ и 8 ГБ + 128 ГБ.

4. Xiaomi Ми 11 Лайт НЭ 5G

29 сентября 2021 г. компания Xiaomi выпустила Xiaomi Mi 11 Lite NE 5G. Стоимость этой модели составляет 100 000 рублей. 23999. Процессор в Xiaomi Mi 11 Lite NE 5G — Qualcomm 778G. Эта модель имеет 6 ГБ оперативной памяти и 128 ГБ встроенной памяти. Xiaomi Mi 11 Lite NE 5G поставляется с возможностью подключения 4G и 3G. Этот телефон работает под управлением Android 11. Он оснащен тройной задней камерой 64 Мп, 8 Мп и 5 Мп со светодиодной вспышкой, а также фронтальной камерой с экраном на 20 Мп.

✓ Изюминкой этого телефона является толщина 6,8 мм, что является отличным показателем для этого ценового диапазона. Вы также можете получить этот телефон в варианте 8 ГБ + 128 ГБ.

5. Xiaomi Redmi Note 10T 5G

Xiaomi выпустила свой Xiaomi Redmi Note 10T 5G 20 июля 2021 года. Цена этого телефона составляет рупий. 13825. Этот телефон оснащен процессором MediaTek 700. Этот телефон имеет 4 ГБ оперативной памяти с 64 ГБ встроенной памяти. Этот телефон поставляется с возможностью подключения 4G и 3G. Этот мобильный телефон работает под управлением Android 11. Он оснащен тройной задней камерой 48 Мп + 2 Мп + 2 Мп со светодиодной вспышкой и фронтальной камерой 8 Мп с экраном.

< /p>

*Доступность может варьироваться в зависимости от рынка.
*Фактический доступный объем памяти может различаться в зависимости от различных факторов. Поскольку операционная система занимает часть оперативной памяти, фактическая доступная память меньше заявленной. Поскольку телефон поставляется с предустановленными приложениями, фактический объем памяти меньше заявленного.

Дисплей 6,53 дюйма с разрешением FHD+ и каплевидным вырезом

2340x1080 FHD+, 394 PPI
соотношение сторон 19,5:9
коэффициент контрастности 1500:1, соотношение экрана к корпусу 89,83%
NTSC 70% (тип.)
400 нит (тип) яркость
Поддержка регулировки цветовой температуры | Стандартный режим | Режим чтения 2.0
Поддержка режима солнечного света
Corning® Gorilla® Glass 3

5020 мА·ч (тип.)

Поддерживает технологию Quick Charge™ 3.0 и быстрая зарядка 18 Вт
Встроенное зарядное устройство 10 Вт (5 В/2 А)
Зарядный порт Type-C
Встроенный перезаряжаемый аккумулятор

Задняя камера

четыре камеры 13MP+8MP+5MP+2MP
широкоугольная камера 13MP
f/2.2, FOV 75,2°, AF
сверхширокоугольная камера 8MP
FOV 118 °, f/2.2, FF
Макрокамера 5 Мп
f/2.4, FF (4 см)
Датчик глубины 2 Мп
f/2.4, FF

Видео

Передняя камера

Разблокировка по лицу

Дизайн слота для карт 2 + 1

Двойной режим ожидания 4G
Поддерживает две SIM-карты от разных операторов; Обе карты могут одновременно подключаться к сети 4G①
Поддерживает две карты nano-SIM + расширение micro-SD, любая карта может быть установлена в качестве основной карты.
Поддерживает 4G/3G/2G
Поддерживает две SIM-карты Вызов VoLTE HD②

Примечание 1. Для работы с двумя SIM-картами 4G требуется поддержка услуг местных операторов связи, и они могут быть доступны не во всех регионах.
Примечание 2. VoLTE поддерживают только некоторые регионы и операторы связи.

Полосы сети

GSM: B2/3/5/8,
WCDMA: B1/2/4/5/8,
LTE-FDD: B1/2/3/4/5/7/8/20 /28
LTE-TDD версии 1: B38/40/41 (2540–2640 МГц)
LTE-TDD версии 2: B38/40

Беспроводная сеть

Поддержка протоколов: 802.11 b/g/n
Поддержка 2.4G WiFi / 5G WiFi / WiFi Direct
Поддержка Bluetooth 5.0
Поддержка беспроводного FM-радио
NFC*

Читайте также: